サムスンエレクトロニクスが次世代の3Dメモリを展示
サムスンエレクトロニクスはFMS 2026で次世代3Dストレージのビジョンを提示し、AI時代におけるストレージ技術の進展を示しました。
サムスンエレクトロニクスはFMS 2026で次世代3Dストレージのビジョンを提示し、AI時代におけるストレージ技術の進展を示しました。
The three technologies Samsung Electronics unveiled at FMS 2026 serve different purposes, but share a common direction: a three-dimensional “Z-axis” strategy that shortens the distance between memory and the processor to minimize data movement, while maximizing storage capacity…
Samsung’s zHBM, zNAND-O and V10 BV-NAND, unveiled at FMS 2026, represent next-generation 3D memory technologies designed to address these demands.