SK hynix 在 IEEE IEDM 2025 上展示了用于模拟计算内存的 3D FeNAND 研究
SK hynix研究人员在2025年IEEE国际电子器件会议上发表了一篇论文，介绍了如何在3D FeNAND中协同优化单元、非单元和页面方案，以提高模拟计算存储器（A-CiM）应用的能效。这项工作通过利用铁电NAND技术在存储器内进行计算，解决了人工智能计算中的瓶颈问题。
为什么重要. 这一进步有望减少AI系统中的数据移动，通过将存储和计算集成于单一架构，提升内存密集型AI工作负载的效率。
AI 插画深度阅读深度解读
01
它牵涉到谁和什么
流入SK hynix
从SK hynix流出
每条线都是有证据的关系，按它指向的方向画出。线只表示两者有关联，不表示这次变化会波及多远。
02
证据
- SSK hynix Newsroom公司披露2026-10-14 08:00
Dividing a conventional 16KB page into four 4KB subpages enables data to be organized more flexibly according to the input and output sizes of neural network layers.