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パワー半導体（SiC・GaN）
EV・充電・データセンター電源向けの SiC・GaN デバイス。
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このトピックのシグナル
- 01米国はWolfspeedに最大15億ドルの条件付き半導体融資を提供米国国防総省は、防衛および航空宇宙用途向けの国内シリコンカーバイドおよびガリウムナイトライドの製造と開発を拡大するため、Wolfspeedに最大15億ドルまでの30年期限の条件付きローンファシリティを提供しました。この提案された取引には、Wolfspeedの完全希薄化後の株式の最大7.5%を取得するためのワラントも含まれています。Wolfspeedは、この取引がデューデリジェンス、承認、最終契約の対象であると述べています。新しい一次情報2026-10-08 07:08
- 02レズチミックは、初めての低電圧窒化ガリウムパワー半導体を発表しました。レズチップは、AIデータセンター、人形ロボットなどの分野向けに、初めての低電圧窒化ガリウムパワー半導体を発表しました。これは、シリコンベースの設計と比較して効率を1％から3％向上させ、スイッチング損失を40％から70％低減しています。技術発表2026-10-06 16:42
- 03Wolfspeedは米国国防省（DOD）から15億ドルの融資を獲得し、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）の生産拡大に取り組むWolfspeedは、米国国防省の戦略資本局（Office of Strategic Capital）と15億ドルの無条件の貸し手契約を締結しました。この資金は、ガリウムナイトライド（GaN）のエピタキシャル成長能力の向上と、放射線に耐性のあるシリコンカーバイドおよびガリウムナイトライド製品の開発を支援するためです。資金は、ノースカロライナ州、ニューヨーク州、アーカンソー州にある施設での低圧および高圧電力デバイスの生産拡大をサポートします。供給能力の制約2026-10-09 00:03
- 04Northrop Grummanが新しいGaNチップを発表ノースロップ・グラumannは、新しい窒化ガリウム（GaN）チップを発表しました。このチップは、米粒ほどのパッケージに収められ、3倍の電力と20倍の信号品質を提供します。技術発表2026-10-03 04:29