三星将采用台积电3nm工艺生产英伟达定制HBM基础裸片

应英伟达的要求，三星电子将利用台积电的3纳米制造工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础裸片。¹ 这标志着三星在HBM制造阶段首次与台积电展开合作。¹ 该决定代表了三星对其既有的一站式内部生产模式的背离，此前其核心内存裸片和基础逻辑裸片均完全在自身生产线上制造。² 这一战略转变是由英伟达对其即将推出的产品的具体技术需求所促成的。¹³

这一转变的主要驱动因素是英伟达于2026年8月26日正式宣布的新型NVHBM架构。¹⁵ 该架构通过将定制内存控制器直接集成到基础裸片中，实现了内存系统的标准化。¹ 英伟达已指示其三大主要HBM供应商——三星、SK海力士和美光——在所有NVHBM基础裸片上均采用台积电的制造工艺，以确保一致性。¹ 堆叠在该基础之上的核心内存裸片将继续采用第六代DRAM技术。¹

在对其自身制造能力完成内部评估后，三星同意了英伟达的要求。¹³ 该内部评估确定，三星自身SF2工艺的良率无法达到英伟达所要求的规模与可靠性水平。⁵ 三星与台积电在先进逻辑工艺良率方面的巨大差距，被认为是三星决定外包NVHBM基础裸片的关键原因。² 来自TechInsights的预估显示，三星SF2工艺良率在50%至60%之间，而台积电N3工艺良率据报道高于90%。⁵

这一战略转变专门针对英伟达的定制NVHBM订单。¹ 对于标准HBM产品以及来自其他客户的订单，三星计划继续采用其一体化内部制造方案。¹ 该公司还在评估一项应急预案，即利用自身的晶圆代工部门来生产NVHBM基础裸片。¹⁴ 据《首尔经济日报》援引未具名消息人士的话称，如果对该组件的需求超过台积电的可用产能，则将考虑该备选方案。⁴

三星的决定与主要HBM生产商中出现的更广泛趋势相一致。¹ 例如，竞争对手SK海力士在截至HBM3E的所有产品中均在内部制造基础裸片。¹ 然而，在迈向HBM4世代时，SK海力士也转向为其基础裸片采用台积电的逻辑代工服务。¹ 多家顶级内存制造商的这种转变表明，对于下一代HBM所需的先进逻辑组件，行业对专业代工厂的依赖日益加深。¹

这些战略举措发生在一个迅速扩张的高性能内存市场中。⁵ 来自Counterpoint Research的数据预测，到2028年，全球HBM市场规模将达到约$100 billion。⁵ 截至2026年年中，SK海力士是市场领导者，占据约50%的份额。⁵ 英伟达的NVHBM倡议通过对基础裸片强制指定单一晶圆代工厂，旨在使其主要内存合作伙伴提供更具一致性和可互换性的供应。¹

与JEDEC HBM4E行业标准相比，英伟达专有的NVHBM架构提供了显著的技术优势。⁵ 它可以使每个堆栈的内存带宽提升高达30%，并将功耗降低15%。⁵ 该设计还能使加速器芯片本身所需的裸片面积减少高达25%。⁵ 通过将物理层接口集成到3D堆栈中，NVHBM相比HBM4E标准将加速器上的PHY及其支持电路面积缩减了多达67%。⁵

在其内存业务进行这些战略转变的同时，三星正在对其美国半导体制造基地进行巨额投资。⁷ 该公司已承诺投入超过$22.8 million用于得克萨斯州中部的劳动力发展和社区项目。⁷ 预计在2025年，三星的奥斯汀和泰勒园区将为得克萨斯州中部经济注入$10.9 billion。⁷ 预计这一经济活动将支持28,746个就业岗位，并在当地产生$2 billion的工资收入。⁷

三星的美国扩张计划包括11月在得克萨斯州泰勒为第二座晶圆厂破土动工。⁷ 这座新设施占地约2.7 million平方英尺，目标是在2030年开始量产。⁷ 这些投资是在美国半导体行业预计将出现重大劳动力短缺的背景下进行的。⁷ 行业组织SEMI预估，到2030年该行业可能面临高达157,000名工人的短缺。⁷

作为三星在这一合作中的合作伙伴兼竞争对手，台积电也在扩大其在美国的制造业务。⁷ 该公司最近完工的亚利桑那州第二座晶圆厂计划于2027年第三季度开始量产。⁷ 台积电首席执行官魏哲家还证实，该公司已派遣团队前往得克萨斯州，评估将其作为另一家工厂潜在选址的可行性。⁷ 这些并行的扩张突显了全球领先芯片制造商在美国本土日益激烈的投资与竞争。⁷

在应对核心半导体业务这些复杂变化的同时，三星继续在其他技术领域寻求拓展。⁶ 例如，一款潜在的三星智能眼镜设备的泄露规格表明其将采用骁龙AR1 Gen 1芯片。⁶ 该规格描述了一款重量为41克、配备2GB内存和64GB存储空间的设备。⁶ 这表明该公司在晶圆代工和内存市场进行战略运筹的同时，仍在消费电子领域持续推进多元化布局。⁶