三星将使用台积电的3nm工艺为英伟达的下一代HBM基底芯片

三星电子将使用台积电的3纳米工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）芯片的基础芯片，据首尔经济日刊援引行业消息人士的报道，这是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。

为什么重要. 这一发展影响半导体供应链和先进内存生产，因为它涉及三星和台积电之间的一项重大代工合作，用于英伟达的AI专用内存技术。